FQP8N60C Yüksek Performanslı MOSFET'ler

FQP8N60C ile rakipsiz gücü deneyimleyin

FQP8N60C, çok çeşitli elektronik uygulamalar için benzersiz güç ve performans sağlayan yüksek performanslı bir MOSFET'tir.Düşük AÇIK direnci ve yüksek akım kapasitesi ile bu MOSFET, en zorlu güç gereksinimlerini bile karşılayacak şekilde tasarlanmıştır.FQP8N60C'nin kalbinde, verimliliği en üst düzeye çıkaran ve hem iletim hem de anahtarlama kayıplarını en aza indiren benzersiz bir tasarım bulunur.Bu, aşırı koşullar altında bile gelişmiş performans ve daha güvenilir çalışma anlamına gelir.

Sağlam bir yapıya ve yüksek kaliteli malzemelere sahip olan bu MOSFET, zorlu ortamlara dayanacak ve dayanacak şekilde üretilmiştir.Olağanüstü performansıyla FQP8N60C, elektronik sistemlerini optimize etmek isteyen tasarımcılar ve mühendisler için ilk tercihtir.Eşsiz güç ve performans sunan yüksek performanslı bir MOSFET arıyorsanız, FQP8N60C'den başkasına bakmayın.

Genel olarak ürün açıklaması, FQP8N60C'nin yüksek performansına ve güvenilirliğine odaklanmaktadır.Net ve özlü bir başlık, potansiyel müşterilerin dikkatini çekecek ve ürünün öne çıkmasını sağlayacaktır.

• Teknoloji: Si
• Montaj Stili: Delikten
• Paket / Kasa: TO-220-3
• Transistör Polaritesi: N-Kanal
• Kanal Sayısı: 1 Kanal
• Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Gerilimi: 600 V
• Kimlik - Sürekli Tahliye Akımı: 7,5 A
• Rds Açık - Drenaj Kaynağı Direnci: 1,2 Ohm
• Vgs - Kapı-Kaynak Gerilimi: - 30 V, + 30 V
• Vgs th - Kapı-Kaynak Eşik Gerilimi: 4 V
• Qg - Kapı Yükü: 28 nC
• Minimum Çalışma Sıcaklığı: - 55 C
• Maksimum Çalışma Sıcaklığı: + 150 C
• Pd - Güç Tüketimi: 147 W
• Kanal Modu: Geliştirme
• Seri: FQP8N60C
• Ambalaj: Tüp
• Marka: onsemi / Fairchild
• Yapılandırma: Tek
• Düşme Süresi: 64,5 ns
• İleri İletkenlik - Min: 8,7 S
• Yükseklik: 16,3 mm
• Uzunluk: 10,67 mm
• Ürün Tipi: MOSFET
• Yükselme Süresi: 60.5 ns